搜索新闻

晶能成功制备硅衬底红光Micro LED,全彩化关键突破!

来源:投影时代 更新日期:2021-09-17 作者:pjtime资讯组
咪乐|直播|最新ios 凌云说。

    日前,晶能光电成功制备了红,绿,蓝三基色硅衬底GaN基Micro LED阵列,在Micro LED全彩芯片开发上前进了关键一步。

    微米尺寸的MicroLED制备已经脱离了普通LED工艺而进入了IC制程。大尺寸硅衬底GaN晶圆具有低成本,兼容IC制程,易于衬底剥离等核心优势,已成为Micro LED制备的主流技术路线。在国际上,Aledia,Plessey,ALLOS ,STRATACACHE等公司都在专注于硅衬底Micro LED开发。主要消费电子产业巨头更是在这一领域投入大量资源,以期在AR,VR等可穿戴设备的巨大市场中拔得头筹。

    Micro LED走向大规模应用要求高良率和高光效的红绿蓝三基色Micro LED芯片。目前绿光和蓝光的GaN材料体系已经成熟,并满足Micro LED制程开发的要求。但对于红光Micro LED,传统的红光AlInGaP体系因为其材料较脆和侧壁上非辐射复合严重,面临着良率和光效两方面的重大技术瓶颈。所以,开发InGaN基红光LED,特别是大尺寸硅衬底上InGaN基红光LED被业界寄以厚望。

    晶能光电的芯片总监黄涛介绍,本次报道的硅衬底InGaN红,绿,蓝Micro LED阵列的像素点间距为25微米,像素密度为1000PPI,在10A/cm2电流密度下的峰值波长分别为650nm,531nm,和445nm。InGaN红光芯片的外量子效率(36mil,650nm峰值波长)为3.5%,EL的半高宽为70nm。晶能光电这一成果发布,标志其成为国内首家实现硅衬底GaN基三基色Micro LED的生产企业。

图为硅衬底GaN基RGB Micro LED阵列

    晶能光电外延副总裁付羿表示,晶能光电是全球最大的硅衬底GaN基LED生产企业,十余年来持续引进人才以保证硅衬底GaN产业技术升级迭代。目前晶能光电的硅衬底GaN基LED产品已经覆盖了从365nm到660nm的可见光范围,并且实现了优秀的量产良率,波长集中度,光效,和可靠性。2018年,晶能光电开始硅衬底Micro LED开发。付羿表示,晶能非常重视硅衬底GaN基Micro LED在AR/VR产业上的巨大应用前景,但必须要持续努力去解决诸如InGaN红光光效,发光半高宽,和最终的全彩化方案等关键问题,而且需要整个产业链的协同,才能实现Micro LED显示技术的规模应用。

图为硅衬底GaN基RGB Micro LED归一化光谱

图为晶能光电展示的36mil尺寸硅衬底GaN基红光LED光谱.png

图为硅衬底GaN基RGB Micro LED归一化光谱

广告联系:010-82830253 | 010-82755685 手机版:m.51weifeng.com官方微博:weibo.com/pjtime官方微信:pjtime
Copyright (C) 2007 by 51weifeng.com,投影时代网 版权所有 关于投影时代 | 联系我们 | 欢迎来稿 | 网站地图
返回首页 网友评论 返回顶部 建议反馈
快速评论
验证码:
发表评论
Baidu
百度